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单粒子在金刚石(001)表面吸附与迁移的第一性原理计算
引用本文:刘学杰,张素慧,姜永军,任元,谭心.单粒子在金刚石(001)表面吸附与迁移的第一性原理计算[J].人工晶体学报,2014(3).
作者姓名:刘学杰  张素慧  姜永军  任元  谭心
作者单位:内蒙古科技大学机械工程学院;北京工业大学耿丹学院;
基金项目:国家自然科学基金项目(50845065);内蒙古自然科学基金项目(2010Zd21);内蒙古科技大学创新基金资助项目(2012NCL050)
摘    要:为了探究纳米金刚石复合薄膜中界面相粒子的微观行为,采用第一性原理方法计算了碳、硅单粒子在清洁金刚石(001)表面的吸附作用与迁移行为。包括C、Si粒子在金刚石(001)面四个高对称位置的构型总能和吸附能以及其在金刚石(001)表面的迁移激活能。结果表明:最稳定的构型是沿(001)生长方向沉积粒子与表面层两粒子相接,且C、Si粒子迁移激活能分别为2.824 eV、0.475 eV。两激活能的差异表明:添加Si能显著促进碳粒子的扩散并形成更加致密的纳米金刚石复合薄膜。

关 键 词:纳米金刚石  复合表面  迁移激活能  第一性原理
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