| SiC/SiC复合材料的原位合成与表征 |
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| 引用本文： | 焦宇鸿,王芬,朱建锋.SiC/SiC复合材料的原位合成与表征[J].人工晶体学报,2014,43(1):143-147. |
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| 作者姓名： | 焦宇鸿 王芬 朱建锋 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学材料科学与工程学院,西安7 10021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51171096);陕西科技大学研究生创新基金项目 |
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| 摘 要： | 采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC/SiC复合材料,碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为C源,采取滤纸表面涂覆Si粉树脂悬浮液的方法引入.采用XRD,SEM以及EDAX分别分析了材料的组成和微观机构,并重点分析了复合材料中SiC纳米线的生成与生长机理.结果表明,在温度为1430℃时,制备的SiC纳米线表面光滑,尺寸均一,长径比大于103,其生长机制为VS机制,由此开发了一种一步法制备SiC/SiC复合材料的新方法.
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| 关 键 词： | SiC/SiC复合材料 SiC纳米线 常压烧结 原位合成 生长机理 |
Synthesis and Characterization of SiC/SiC Composite via In-situ Method |
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| JIAO Yu-hong,WANG Fen,ZHU Jian-feng.Synthesis and Characterization of SiC/SiC Composite via In-situ Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(1):143-147. |
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| Authors: | JIAO Yu-hong WANG Fen ZHU Jian-feng |
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