新型Q开关晶体Cr^4+:YAG的生长和退火研究 |
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作者姓名: | 黄朝红 肖敬忠 等 |
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作者单位: | 中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室,合肥230031 |
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摘 要: | 采用二阶Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr^4 :YAG并对该晶体进行了退火研究。吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr^4 离子存在。晶体经空气中退火后Cr^4 离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高,晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr^4 离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr^3 离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关。
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关 键 词: | Q开关晶体 Cr^4+:YAG 研究 晶体生长 退火 吸收光谱 |
文章编号: | 1000-985(2002)04-0405-04 |
修稿时间: | 2001-12-03 |
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