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新型Q开关晶体Cr^4+:YAG的生长和退火研究
引用本文:黄朝红,肖敬忠,等.新型Q开关晶体Cr^4+:YAG的生长和退火研究[J].人工晶体学报,2002,31(4):405-408.
作者姓名:黄朝红  肖敬忠
作者单位:中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室,合肥230031
摘    要:采用二阶Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr^4 :YAG并对该晶体进行了退火研究。吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr^4 离子存在。晶体经空气中退火后Cr^4 离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高,晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr^4 离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr^3 离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关。

关 键 词:Q开关晶体  Cr^4+:YAG  研究  晶体生长  退火  吸收光谱
文章编号:1000-985(2002)04-0405-04
修稿时间:2001年12月3日
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