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用于红外变频的大尺寸AgGaS2晶体生长
引用本文:吴海信,程干超,杨琳,毛明生.用于红外变频的大尺寸AgGaS2晶体生长[J].人工晶体学报,2003,32(1):13-15.
作者姓名:吴海信  程干超  杨琳  毛明生
作者单位:中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
摘    要:在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2晶体元件.我们采用改进的Bridgman方法生长直径28mm、长度60~80mm的晶体棒.成功生长的关键是要采用C向籽晶.001]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺陷.在Ag2S共存下的热处理能有效地排除晶体中的异相沉淀,显著改善透明度.我们制备的Ⅰ型相位匹配8mm×10mm×16mm和5mm×5mm×15mm?AgGaS2晶体元件分别成功地应用于差频、和频激光实验.

关 键 词:AgGaS2晶体  差频  和频  晶体生长  
文章编号:1000-985X(2003)01-0013-03
修稿时间:2002年7月31日

Crystal Growth of Large-sized AgGaS2 for IR Frequency Conversion
WU Hai xin,CHENG Gan chao,YANG Lin,MAO Ming sheng.Crystal Growth of Large-sized AgGaS2 for IR Frequency Conversion[J].Journal of Synthetic Crystals,2003,32(1):13-15.
Authors:WU Hai xin  CHENG Gan chao  YANG Lin  MAO Ming sheng
Abstract:
Keywords:AgGaS  2 crystal  difference frequency generation  sum frequency generation  crystal growth
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