| 高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究 |
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| 引用本文： | 李涛,赵广军,何晓明,徐军,潘守夔,徐月泉.高温闪烁晶体Ce∶YAP的生长研究[J].人工晶体学报,2002,31(2). |
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| 作者姓名： | 李涛 赵广军 何晓明 徐军 潘守夔 徐月泉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
2. 上海中科嘉浦光电子材料有限公司,上海,201821 |
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| 摘 要： | Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.
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| 关 键 词： | Ce∶YAP 闪烁晶体 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱 |
Czochralski Growth of High-temperature Scintillator Crystal Ce∶YAP |
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