| CdGeAs2单晶体的腐蚀研究 |
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| 引用本文： | 黄巍,赵北君,朱世富,何知宇,陈宝军,李佳伟,虞游.CdGeAs2单晶体的腐蚀研究[J].人工晶体学报,2010,39(6):1349-1352. |
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| 作者姓名： | 黄巍 赵北君 朱世富 何知宇 陈宝军 李佳伟 虞游 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，国家高技术研究发展计划(863)项目 |
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| 摘 要： | 报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30;): NH4OH(含NH325;-28;): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.
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| 关 键 词： | CdGeAs2晶体 化学腐蚀剂 蚀坑形貌 缺陷分析 |
Studies of Etching on CdGeAs2 Crystals |
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| HUANG Wei,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,HE Zhi-yu,CHEN Bao-jun,LI Jia-wei,YU You.Studies of Etching on CdGeAs2 Crystals[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(6):1349-1352. |
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| Authors: | HUANG Wei ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu HE Zhi-yu CHEN Bao-jun LI Jia-wei YU You |
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| Institution: | HUANG Wei,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,HE Zhi-yu,CHEN Bao-jun,LI Jia-wei,YU You(Department of Material Science,Sichuan University,Chengdu 610064,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdGeAs2(CGA) crystal chemical etching solution etch pits morphology defects analysis |
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