| 晶体的定偏心平面CMP均匀性研究 |
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| 引用本文： | 王志斌,吴传超,安永泉,赵同林,解琨阳,刘顺.晶体的定偏心平面CMP均匀性研究[J].人工晶体学报,2015,44(3):728-733. |
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| 作者姓名： | 王志斌 吴传超 安永泉 赵同林 解琨阳 刘顺 |
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| 作者单位： | 山西省光电信息与仪器工程技术研究中心,太原030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051;山西省光电信息与仪器工程技术研究中心,太原,030051 |
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| 摘 要： | 晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.
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| 关 键 词： | 定偏心 CMP 轨迹方程 均匀性 |
Study on the Uniformity of Certain Eccentricity Surface Chemical Mechanical Polishing of Crystal |
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| WANG Zhi-bin;WU Chuan-chao;AN Yong-quan;ZHAO Tong-lin;XIE Kun-yang;LIU Shun.Study on the Uniformity of Certain Eccentricity Surface Chemical Mechanical Polishing of Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(3):728-733. |
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| Authors: | WANG Zhi-bin;WU Chuan-chao;AN Yong-quan;ZHAO Tong-lin;XIE Kun-yang;LIU Shun |
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| Institution: | WANG Zhi-bin;WU Chuan-chao;AN Yong-quan;ZHAO Tong-lin;XIE Kun-yang;LIU Shun;Engineering Technology Research Center of Shanxi Province for Opto-Electronic Information and Instrument;Key Lab of Instrument Science and Dynamic Measurement,Ministry of Education,North University of China; |
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