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| SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究 | |
| 引用本文： | 肖,强,何雪莉.SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究[J].人工晶体学报,2014(3):693-697. |
| 作者姓名： | 肖 强 何雪莉 |
| 作者单位： | 西安工业大学机电工程学院;陕西师范大学计算机科学学院; |
| 基金项目： | 陕西省教育厅项目资助(12JK0664);陕西省特种加工重点实验室资助(13JS044);陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室访问学者专项计划项目;陕西省特种加工重点实验室开放基金资助项目;校长基金项目(XAGDXJJ1007) |
| 摘 要： | SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点。本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证。仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50%,材料去除率提高达100%。 |
| 关 键 词： | SiC单晶片 表面粗糙度 材料去除率 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |