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Cr2+∶ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能
引用本文:刘长友,介万奇,张滨滨,查钢强,王涛,谷智.Cr2+∶ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能[J].人工晶体学报,2011,40(6):1382-1386.
作者姓名:刘长友  介万奇  张滨滨  查钢强  王涛  谷智
作者单位:西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,西安710072
基金项目:教育部博士学科点新教师基金(20106102120016); 凝固技术国家重点实验室自主课题(74-QP-2011)
摘    要:采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6~7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体.紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019 atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度.荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s.数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18cm2和2.3×10-18 cm2.

关 键 词:硒化锌  Cr2+掺杂  物理气相输运法  
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