| 不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究 |
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| 引用本文： | 熊伟,储向峰,董永平,毕磊,叶明富,孙文起.不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究[J].人工晶体学报,2013,42(6):1064-1069. |
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| 作者姓名： | 熊伟 储向峰 董永平 毕磊 叶明富 孙文起 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学化学化工学院,马鞍山,243002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50975002);安徽工业大学创新团队项目(TD201204);教育部高校留学回国人员科研项目 |
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| 摘 要： | 本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1;粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1;粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.
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| 关 键 词： | 蓝宝石 化学机械抛光 去除速率 表面粗糙度 磨料 |
Effect of Different Abrasives on Sapphire Chemical-Mechanical Polishing |
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| XIONG Wei,CHU Xiang-feng,DONG Yong-ping,BI Lei,YE Ming-fu,SUN Wen-qi.Effect of Different Abrasives on Sapphire Chemical-Mechanical Polishing[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(6):1064-1069. |
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| Authors: | XIONG Wei CHU Xiang-feng DONG Yong-ping BI Lei YE Ming-fu SUN Wen-qi |
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| Institution: | (School of Chemistry and Chemical Engineering,Anhui University of Technology,Maanshan 243002,China)(Received 31 January 2013,accepted 9 April 2013) |
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| Keywords: | |
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