| 1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究 |
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| 引用本文： | 孔云川,周大勇,澜清,刘金龙,苗振华,封松林,牛智川.1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究[J].人工晶体学报,2002,31(6):551-554. |
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| 作者姓名： | 孔云川 周大勇 澜清 刘金龙 苗振华 封松林 牛智川 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60176006,60025410)和中国科学院纳米科学与技术资助项目 |
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| 摘 要： | 用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光.实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射.这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法.
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| 关 键 词： | 量子点 电致发光 发光二极管 能态填充效应 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)06-551-04 |
| 修稿时间： | 2002年7月10日 |
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