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晶体生长界面相研究
引用本文:李国华,王大伟,黄志良.晶体生长界面相研究[J].人工晶体学报,2001,30(2):171-177.
作者姓名:李国华  王大伟  黄志良
作者单位:中南大学资源环境与建筑工程学院,
基金项目:教育部博士点基金(98053301),教育部高等学校骨干教师资金资助项目
摘    要:在分析前人的晶体生长理论时,作者认为晶体生长过程中可能存在界面相;在分析各种晶体生长现象后认为,晶体生长过程中界面相是存在的,并起着十分重要的作用;通过分析研究,将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分:界面层、吸附层和过渡层;并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用;在此基础上提出了界面相模型。

关 键 词:界面相  界面层  吸附层  过渡层  模型  
文章编号:1000-985X(2001)02-0171-07
修稿时间:2000年11月22

Study on Interface-phase of Crystal Growth
LI Guo-hua,WANG Da-wei,HUANG Zhi-liang.Study on Interface-phase of Crystal Growth[J].Journal of Synthetic Crystals,2001,30(2):171-177.
Authors:LI Guo-hua  WANG Da-wei  HUANG Zhi-liang
Abstract:While we were analyzing the proposed theory about the crystal growth,we doubted that the interface phase existed in the process of crystal growth.With this,we had looked for a lot of references connected and analyzed them.We find that the interface-phase does exist in the process of crystal growth and takes a critic role.Therefore,we divide the interface-phase into three co-relative parts:interface layer,adsorptive layer and transitive layer.Base on the above ideal,we demonstrate the role of interface layer,adsorptive layer and transitive layer in the process of crystal growth respectively.Furthermore,we proposal the interface-phase model about the crystal growth.
Keywords:
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