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退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响
引用本文:苏凤莲,彭观良,邹军,宋词,杭寅,徐军,周圣明.退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响[J].人工晶体学报,2005,34(1):107-111.
作者姓名:苏凤莲  彭观良  邹军  宋词  杭寅  徐军  周圣明
作者单位:中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
摘    要:用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.

关 键 词:ZnO薄膜  脉冲激光沉积  退火  蓝光发射  
文章编号:1000-985X(2005)01-0107-05

Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film
SU Feng-lian,PENG Guan-liang,ZOU Jun,SONG Ci,HANG Yin,XU Jun,ZHOU Sheng-ming.Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(1):107-111.
Authors:SU Feng-lian  PENG Guan-liang  ZOU Jun  SONG Ci  HANG Yin  XU Jun  ZHOU Sheng-ming
Institution:SU Feng-lian~
Abstract:
Keywords:ZnO films  PLD  annealing  blue emission
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