RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析 |
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引用本文: | 李春,曾繁明,林海,郑东阳,杨晓东,刘贺,王丹,崔亚军,郑卫新,刘景和.RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析[J].人工晶体学报,2014(6). |
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作者姓名: | 李春 曾繁明 林海 郑东阳 杨晓东 刘贺 王丹 崔亚军 郑卫新 刘景和 |
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作者单位: | 长春理工大学光电功能材料教育部工程研究中心;北京雷生强式科技有限责任公司; |
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基金项目: | 兵器预研项目(622030201) |
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摘 要: | 采用提拉法生长Nd∶YAP和Tm∶YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品。结果表明:经真空退火,提高了晶体质量。Nd∶YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出。
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关 键 词: | Nd∶YAP晶体 Tm∶YAP晶体 晶体缺陷 吸收光谱 荧光光谱 |
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