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| 硫化镓钡合成、生长及性能研究 | |
| 引用本文： | 郭以峰,陈炜冬,林新松,周宇乔,叶宁.硫化镓钡合成、生长及性能研究[J].人工晶体学报,2014(7). |
| 作者姓名： | 郭以峰 陈炜冬 林新松 周宇乔 叶宁 |
| 作者单位： | 中国科学院福建物质结构研究所; |
| 摘 要： | 利用硫过量双温区摇摆炉合成法来稳定合成BaGa4S7(BGS)多晶,并用此方法合成出的原料利用坩埚下降法生长BGS单晶。BGS的紫外和红外吸收边分别为350 nm和13.7μm。在50℃时,它在a-,b-和c-方向的热导率分别为1.34 W/(m·K),1.58 W/(m·K)和1.68 W/(m·K)。在1.064μm、2.1μm和9.85μm时,它的激光损伤阈值分别为1.2 J/cm2,7.15 J/cm2和26.2 J/cm2。当泵浦光源在2.2μm左右变化时,非临界相位匹配OPO输出波长在6～10μm之间。 |
| 关 键 词： | 硫镓钡 坩埚下降法 热导率 激光损伤阀值 |
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