| 半导体器件残余应力测试与模拟研究 |
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| 引用本文： | 孙建海,王卫宁,耿照新,岳伟.半导体器件残余应力测试与模拟研究[J].实验力学,2004,19(4):519-525. |
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| 作者姓名： | 孙建海 王卫宁 耿照新 岳伟 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080
2. 首都师范大学,物理系,北京,100037 |
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| 基金项目： | 北京市教委基金 (0 0KJ -0 94)资助 |
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| 摘 要： | 采用新型三维云纹干涉系统并结合盲孔释放的方法 ,研究了半导体装配底座内的残余应力 ,这种混合的方法不仅能真实测试试件因应力的释放而产生的三维变形信息 ,而且具有灵敏度高、条纹对比度好等特点。本文中 ,残余应力是通过盲孔释放获得 ,然后使用三维干涉系统来测试试件因残余应力的释放而发生的位移 ;利用有限元模拟的方法 ,精确计算了应力大小和分布情况 ,为实验研究提供了有力的支持和补充。结果表明 ,残余应力在F - 1C半导体内部分布不均匀 ,在两引脚之间的区域 ,应力比邻近区域的应力要大 ,存在一定的应力集中 ,对可伐管产生一定的挤压作用 ,这是造成半导体装配底座失效的一重要原因。
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| 关 键 词： | 残余应力 三维云纹干涉测量 有限元法 |
| 文章编号： | 1001-4888(2004)04-0519-07 |
| 修稿时间： | 2003年8月15日 |
Residual Stress Determination of the Semiconductor Devices through Combination of Experimental measuring and Finite Element Simulation |
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| SUN Jian-hai,WANG Wei-ning,GENG Zhao-xin,YUE Wei.Residual Stress Determination of the Semiconductor Devices through Combination of Experimental measuring and Finite Element Simulation[J].Journal of Experimental Mechanics,2004,19(4):519-525. |
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| Authors: | SUN Jian-hai WANG Wei-ning GENG Zhao-xin YUE Wei |
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| Institution: | SUN Jian-hai~,WANG Wei-ning~,GENG Zhao-xin~,YUE Wei~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | residual stress finite element method 3-D Moire interferometer method |
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