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弱界面ZnO-SiO2-Si压电层合结构中的Love波
引用本文:彭飞,胡时岳.弱界面ZnO-SiO2-Si压电层合结构中的Love波[J].应用力学学报,2009,26(1).
作者姓名:彭飞  胡时岳
作者单位:西安交通大学,710049,西安
摘    要:建立了考虑弱连接界面特性的传递矩阵,基于状态空间法分析了弱界面压电层合结构中Love波的传播特性,揭示了ZnO-SiO2-Si层间的弱界面位置和特性对Love波相速度的影响,研究发现频率较高的第零阶Love波对靠近表面的弱界面更敏感,当频率趋于零和无穷时,弱界面的特性和位置对Love波第零阶的相速度没有影响.第一阶Love波的相速度在截断频率附近受弱界面影响相对显著,当频率趋于无穷时,弱界面的特性和位置对Love波第一阶的相速度影响越来越小.

关 键 词:弱界面  Love波  状态空间法

Love Waves in ZnO-SiO2-Si Piezoelectric Layered Structures with Imperfect Interfaces
Peng Fei,Hu Shiyue.Love Waves in ZnO-SiO2-Si Piezoelectric Layered Structures with Imperfect Interfaces[J].Chinese Journal of Applied Mechanics,2009,26(1).
Authors:Peng Fei  Hu Shiyue
Abstract:
Keywords:
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