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双面抛光工艺的流场压力分布
引用本文:魏红波,谭援强,张浩,李明军.双面抛光工艺的流场压力分布[J].应用力学学报,2010,27(3).
作者姓名:魏红波  谭援强  张浩  李明军
作者单位:湘潭大学,411105,湘潭
基金项目:国家自然科学基金,教育部新世纪人才项目 
摘    要:建立了双面抛光工艺中晶片上下表面的压力分布模型,获得了晶片和抛光垫表面的速度分布关系,分析了自由晶片在抛光过程中的运动状态以及在压力荷载及转矩平衡时晶片上下表面的平均压力分布。数值计算结果表明:荷载压力越大,平均压差率越小;抛光垫转速越小,太阳轮转速越小;抛光液粘度越小,平均压差率越小。同时,根据通过调整抛光参数组合获得了最小的平均压差率,并利用正交实验法数值分析。研究发现抛光工艺参数对压力分布影响的主次关系依次为荷载压力、抛光液粘度、抛光垫转速、太阳轮转速。

关 键 词:双面抛光  压力分布  润滑方程  平均压差率  数值模拟

Numerical simulation of pressure distribution of flow field in the technology of double-sided polishing
Wei Hongbo,Tan Yuanqiang,Zhang Hao,Li Mingjun.Numerical simulation of pressure distribution of flow field in the technology of double-sided polishing[J].Chinese Journal of Applied Mechanics,2010,27(3).
Authors:Wei Hongbo  Tan Yuanqiang  Zhang Hao  Li Mingjun
Abstract:
Keywords:
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