| 磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究 |
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| 引用本文： | 李秀娟,金洙吉,康仁科,郭东明.磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究[J].摩擦学学报,2005,25(5):431-435. |
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| 作者姓名： | 李秀娟 金洙吉 康仁科 郭东明 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CMP)试验,评价了CMP过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CMP后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CMP过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/min;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/min;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤.
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| 关 键 词： | 铜化学机械抛光(CMP) 摩擦 磨料 材料去除机理 |
| 文章编号： | 1004-0595（2005）05-0431-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-10 |
| 修稿时间： | 2005-03-30 |
Study on Abrasive Effect in Copper Chemical-Mechanical Polishing |
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| LI Xiu-juan,JIN Zhu-ji,KANG Ren-ke,GUO Dong-ming.Study on Abrasive Effect in Copper Chemical-Mechanical Polishing[J].Tribology,2005,25(5):431-435. |
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| Authors: | LI Xiu-juan JIN Zhu-ji KANG Ren-ke GUO Dong-ming |
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| Institution: | Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining of Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper CMP friction abrasive material removal mechanism |
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