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腔靶内爆区超热电子实验研究
引用本文:李三伟,祁兰英.腔靶内爆区超热电子实验研究[J].核聚变与等离子体物理,1998,18(3):51-55.
作者姓名:李三伟  祁兰英
作者单位:西南核物理与化学研究所高温高密度等离子体物理实验室
基金项目:国家863高技术惯性约束聚变主题
摘    要:利用10道滤波荧光谱仪(FFS)研究了强激光和薄壁腔靶相互作用时超热电子产生的特征,结合GaAs硬X射线角分布探头,受激喇曼莠射光探头,针孔相机的测量结果,分析得出:在内爆腔靶中,超热电子产生的源区,大部分超热电子静电场和转换体约束在源区,只有小部分能量较高的超热电子进入到内爆区,内爆靶区超热电子总能量占超热电子总能量的约20%,占入射激光能量的1%-3%。

关 键 词:超热电子  薄壁腔靶  受激喇曼散射  激光聚变
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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