腔靶内爆区超热电子实验研究 |
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引用本文: | 李三伟,祁兰英.腔靶内爆区超热电子实验研究[J].核聚变与等离子体物理,1998,18(3):51-55. |
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作者姓名: | 李三伟 祁兰英 |
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作者单位: | 西南核物理与化学研究所高温高密度等离子体物理实验室 |
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基金项目: | 国家863高技术惯性约束聚变主题 |
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摘 要: | 利用10道滤波荧光谱仪(FFS)研究了强激光和薄壁腔靶相互作用时超热电子产生的特征,结合GaAs硬X射线角分布探头,受激喇曼莠射光探头,针孔相机的测量结果,分析得出:在内爆腔靶中,超热电子产生的源区,大部分超热电子静电场和转换体约束在源区,只有小部分能量较高的超热电子进入到内爆区,内爆靶区超热电子总能量占超热电子总能量的约20%,占入射激光能量的1%-3%。
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关 键 词: | 超热电子 薄壁腔靶 受激喇曼散射 激光聚变 |
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