| 利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点 |
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| 引用本文： | 范千千,徐坤熠,符斯列.利用电容-电压法研究GaN基双异质结发光二极管的结构特点[J].大学物理,2022(5):69-73. |
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| 作者姓名： | 范千千 徐坤熠 符斯列 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学物理与电信工程学院;2. 华南师范大学物理学科基础课程国家级实验教学示范中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10575039)；;广东省自然科学基金(S2013010012548)； |
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| 摘 要： | 本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构，将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分，分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极管进行温度控制，得到不同温度下的C-V曲线及其对应的杂质浓度分布曲线，分析温度对两者的影响.最后由不同温度下的杂质浓度分布曲线，分析GaN基蓝光发光二极管的双异质结构.实验结果表明该GaN基双异质结蓝光二极管的PN结类型两边都为突变结，在不同温度下，样品的电容值随温度的升高呈增大趋势.双异质结构随温度的降低逐渐显著，当T=98 K时，双异质结构趋于理想情况.
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| 关 键 词： | C-V法 GaN基蓝光二极管 双异质结构 |
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