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Mg-Si基热电材料量子化学计算
引用本文:姜洪义,刘琼珍,张联盟,闵新民.Mg-Si基热电材料量子化学计算[J].计算物理,2004,21(5):439-442.
作者姓名:姜洪义  刘琼珍  张联盟  闵新民
作者单位:武汉理工大学材料学院,湖北,武汉,430070
摘    要:对于掺杂合适的元素Sb,Te,Ag,Cu使得Mg—Si基热电材料的热电性能大幅度提高的实验事实,欲从理论和计算上寻求支持,试图从原子、分子的层次上对此现象作出解释,因此建立了简化的Mg2Si量子化学计算模型,采用密度泛函离散变分Xα量子化学计算法,计算了物质内部的结构信息,如共价键级和态密度等.计算结果表明,掺杂以后,晶体的共价键级被削弱,态密度图中的禁带宽度明显变窄,这与实验测试的结果是一致的。

关 键 词:量子化学计算  态密度  共价键  密度泛函  变分  原子  禁带宽度  热电材料  热电性能  掺杂
文章编号:1001-246X(2004)05-0439-04
修稿时间:2003年5月19日

Calculation of Quantum Chemistry for Mg-Si Based Thermoelectric Material
JIANG Hong-yi,LIU Qiong-zhen,ZHANG Lian-meng,MIN Xin-min.Calculation of Quantum Chemistry for Mg-Si Based Thermoelectric Material[J].Chinese Journal of Computational Physics,2004,21(5):439-442.
Authors:JIANG Hong-yi  LIU Qiong-zhen  ZHANG Lian-meng  MIN Xin-min
Abstract:
Keywords:thermoelectric conversion effect  Mg-2Si  doping  quantum chemistry computation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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