| 含色心BaMgF4晶体电子结构的研究 |
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| 引用本文： | 康玲玲,刘廷禹,张启仁,徐灵芝.含色心BaMgF4晶体电子结构的研究[J].计算物理,2011,28(3):451-455. |
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| 作者姓名： | 康玲玲 刘廷禹 张启仁 徐灵芝 |
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| 作者单位： | 上海理工大学理学院,上海,200093 |
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| 基金项目： | 上海市教育委员会创新基金(批准号:09YZ210); 上海市光学工程重点学科(批准号:S30502)资助项目 |
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| 摘 要： | 运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-X)研究BaMgF4晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12eV,对应242nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF4晶体中引起236～274 nm的吸收.
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| 关 键 词： | 电子结构 F心 离散变分法 BaMgF4晶体 |
Electronic Structures of BaMgF_4 Crystal with F Color Centres |
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| KANG Lingling,LIU Tingyu,ZHANG Qiren,XU Lingzhi.Electronic Structures of BaMgF_4 Crystal with F Color Centres[J].Chinese Journal of Computational Physics,2011,28(3):451-455. |
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| Authors: | KANG Lingling LIU Tingyu ZHANG Qiren XU Lingzhi |
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| Institution: | KNAG Lingling,LIU Tingyu,ZHANG Qiren,XU Lingzhi(College of Science,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai200093,China) |
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