| SiC电子霍耳迁移率的计算 |
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| 引用本文： | 王平,杨银堂,杨燕.SiC电子霍耳迁移率的计算[J].计算物理,2006,23(1):80-86. |
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| 作者姓名： | 王平 杨银堂 杨燕 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 陕西 西安 710071 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目;国防科技预研基金 |
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| 摘 要： | 基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.
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| 关 键 词： | 6H碳化硅 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 解析模型 |
| 文章编号： | 1001-246X（2006）01-0080-07 |
| 收稿时间： | 2004-10-19 |
| 修稿时间： | 2005-02-25 |
A Calculation of Electron Hall Mobility in SiC |
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| WANG Ping,YANG Yin-tang,YANG Yan.A Calculation of Electron Hall Mobility in SiC[J].Chinese Journal of Computational Physics,2006,23(1):80-86. |
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| Authors: | WANG Ping YANG Yin-tang YANG Yan |
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| Institution: | Ministry of Edu. Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Microelectronics Institute, Xidian University, Xi′an 710071, China |
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| Abstract: | With analysis of conduction band structure and isotropic relaxation time approximation, an analytical model for the electron Hall mobility and Hall scattering factor of n-type 6H-SiC is proposed. The impact of different scattering mechanisms on the low field electron transport in 6H-SiC is illustrated clearly. Three ellipsoidal and parabolic constant energy surfaces simplification are used. The calculated results are in good agreement with physical measurements. |
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| Keywords: | 6H-SiC electron Hall mobility Hall scattering factor analytical model |
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