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| 提拉法生长BGS(Bi_(12)Ge_xSi_(1-x)O_(20))系列低声速新单晶 | |
| 引用本文： | 赵哲英,汪淑惠,翁文生,杨银兰,刘金龙,施仲坚.提拉法生长BGS(Bi_(12)Ge_xSi_(1-x)O_(20))系列低声速新单晶[J].声学学报,1980(4). |
| 作者姓名： | 赵哲英 汪淑惠 翁文生 杨银兰 刘金龙 施仲坚 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (赵哲英，汪淑惠，翁文生，杨银兰，刘金龙)，中国科学院物理研究所(施仲坚) |
| 摘 要： | 用提拉法,生长了BGS(Bi_(12)Ge_xSi_(1-x)O_(20))系列中六种新的低声速单晶材料。晶体尺寸约为15×15×80mm~3。BGS系列单晶属等轴晶系,23点群,空间群是I23或I2_13二者之一,晶格常数为α≈10.11A。密度在9.20×10~3kg/m~3(BG)至9.30×10~3kg/m~3(BS)之间。(100)方向的纵波声速υ=3.7×10~3m/s,与BG单晶和BS单晶相近。 |
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