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| 半导体超晶格的电子迁移率增强 | |
| 引用本文： | 吴述尧.半导体超晶格的电子迁移率增强[J].物理,1982(10). |
| 作者姓名： | 吴述尧 |
| 摘 要： | 分子束外延能够生长原子平滑的层、精确控制层厚度及掺杂的灵活性使其较容易地合成多组分、多层的异质结.然而,在较高的掺杂浓度下,获得高迁移率(如 )普遍认为是困难的,这就大大地限制了这些材料的应用. 1978年,Dingle等首先报道了在分子束外延中采用调 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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