|
|||||
|
|
| 金属硅化物 | |
| 引用本文： | 许振嘉.金属硅化物[J].物理,1987(2). |
| 作者姓名： | 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 硅与周期表上许多金属能形成金属硅化物1-3].近十年来,由于半导体科学技术的发展和要求,对金属硅化物的研究很活跃. 微电子器件(LSI,VLSI)的基本结构中含有大量的金属化系统,例如器件和单元的互连,硅与金属的接触肖特基势垒(SB)和欧姆接触]和栅电极.据估计,每一片256KMOS RAM就有50万个左右的金属互连.一块中规模集成电路则平均有 70个左右的 SB二极管和 400个左右的欧姆接触.这些金属化系统决定着LSI和 VLSI的成品率、可靠性和重复性. 金属硅化物中有不少基础物理问题,例如,有些金属(Pt、Pd和Au等)在室温甚至在液氮温度下形… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |