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| 发光二极管和半导体激光器的新进展 | |
| 引用本文： | 朱振和.发光二极管和半导体激光器的新进展[J].物理,1992,21(9):574-576. |
| 作者姓名： | 朱振和 |
| 作者单位： | 中央民族学院物理系 |
| 摘 要： | 一、世界上最小的激光器 AT&T Bell实验室的R. E. Slusher和SamuelMcCall 研究小组1991年11月在San Jose召开的美国光学学会年会上报道了一种世界上最小的激光器,它是从半导体激光材料的基片蚀刻而成的微型圆盘,直径2-10μm,厚0.2μm,用He-Ne激光器光泵,在77-270K温度下发出波长为1.3-1.5μm的激光. 这种激光器的结构是: 一个或六个10nm宽的 InGaAs量子阶夹在 0nm宽的 InGaAsP势垒层之间,最终覆盖层是20nm厚的InGa-A sP,把它们生长在 InP基片上,然后蚀刻掉InP,使量子阶层与大块的半导体分隔开,只留下很细的一根支柱,呈图钉状结… |
| 关 键 词： | 发光二极管 半导体 激光器 |
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