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半导体量子结构中量子力学新效应
引用本文:朱邦芬,刘仁保.半导体量子结构中量子力学新效应[J].物理,2001,30(5):317-321.
作者姓名:朱邦芬  刘仁保
作者单位:清华大学高等研究中心
基金项目:国家自然科学基金(批准号:19874061)和国家攀登计划资助项目
摘    要:量子力学波函数的相位、相干性与退相干,正成为当前物理学研究的一个热点,半导体材料及其低维量子结构,以其制备工艺的精良和物理研究的透彻而成为最佳研究对象,对于半导体量子结构中载流子相位和关联的实验研究,主要遵循两路线:(1)使系统特征尺度与相干长度可比,研究介观系统与小量子系统输运过程中量子相干效应;(2)发展超短脉宽激光器与超快探测技术,研究与相干时间可比的时间尺度内的动力学,文章结合笔者的研究工作,着重介绍半导体及其量子结构中超快光学过程研究,包括电声子散射的量子动力学,直流与THz交流电场驱动的半导体超晶格激子态、吸收光谱与四波混频谱,动力学Fano共振和多体相互作用中超越平均场近似的重要性。

关 键 词:相位  半导体量子结构  超快光学过程  量子动力学  量子相干效应  电声子散射  Fano共振
修稿时间:2001年1月19日

NOVEL QUANTUM-MECHANIC EFFECTS IN SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES
ZHU Bang,Fen,LIU Ren,Bao.NOVEL QUANTUM-MECHANIC EFFECTS IN SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES[J].Physics,2001,30(5):317-321.
Authors:ZHU Bang  Fen  LIU Ren  Bao
Abstract:
Keywords:phase  semiconductor quantum structures  ultrafast optical process  quantum dynamics  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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