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| 超大规模集成电路的一些材料物理问题（I）——Cu互连和金属化 | |
| 引用本文： | 刘洪图,吴自勤.超大规模集成电路的一些材料物理问题（I）——Cu互连和金属化[J].物理,2001,30(12):757-761. |
| 作者姓名： | 刘洪图 吴自勤 |
| 作者单位： | [1]中国科学技术大学物理系，合肥230026 [2]中国科学技术大学天文和应用物理系，合肥230026 |
| 摘 要： | 21世纪初，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸将由150nm逐代缩至50nm。文章以100nmULSI器件为主，简要介绍与互连相关的一些材料物理问题，其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质。 |
| 关 键 词： | 超大规模集成电路 Cu 互连 金属化 特征尺寸 材料物理 铜 低介电常数介质 |
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