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| Si/SiGe量子级联激光器研究进展 | |
| 引用本文： | 韩根全,林桂江,余金中.Si/SiGe量子级联激光器研究进展[J].物理,2006,35(8):673-678. |
| 作者姓名： | 韩根全 林桂江 余金中 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 2. 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005 3. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083;厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。 |
| 关 键 词： | Si/SiGe量子级联激光器 超晶格 太赫兹 子带跃迁 |
| 收稿时间： | 2005-07-19 |
| 修稿时间： | 2005-07-192005-12-29 |
The Si/SiGe quantum cascade laser |
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| HAN Gen-Quan,LIN Gui-Jiang,YU Jin-Zhong.The Si/SiGe quantum cascade laser[J].Physics,2006,35(8):673-678. | |
| Authors: | HAN Gen-Quan LIN Gui-Jiang YU Jin-Zhong |
| Institution: | 1 State Key Joint Laboratory on Integrated Optoetectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China; 2 Department of Physics and Simeconductor Honics Center, Xiamen University, Xiamen 361005 ,China |
| Abstract: | The Si/SiGe quantum cascade laser is a new coherent IR source based on intersubband transitions, which overcomes the limitations imposed by the indirect gap. This laser will have a great impact on the development of terahertz devices and indicates a possible way to integrate active terahertz devices into silicon - based technology. In this paper we will describe the principle and latest progress in the active layer design, materials growth, and waveguide fabrication of this Si - based laser. |
| Keywords: | Si/SiGe quantum cascade lasers superlattice terahertz intersubband transition |
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