| 自组织生长锗量子点的库仑荷电效应 |
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| 引用本文： | 张胜坤.自组织生长锗量子点的库仑荷电效应[J].物理,1998,27(11):643-645. |
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| 作者姓名： | 张胜坤 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家科学技术委员会攀登计划资助 |
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| 摘 要： | 将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构．
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| 关 键 词： | 量子点，导纳谱，库仑荷电效应 |
COULOMB CHARGING EFFECT IN SELFASSEMBLED Ge QUANTUM DOTS |
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| Zhang Shengkun\ Lu Fang\ Jiang Zuimin\ Wang Xun.COULOMB CHARGING EFFECT IN SELFASSEMBLED Ge QUANTUM DOTS[J].Physics,1998,27(11):643-645. |
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| Authors: | Zhang Shengkun\ Lu Fang\ Jiang Zuimin\ Wang Xun |
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| Abstract: | Admittance spectroscopy is applied to study semiconductor GeSi quantum dots.We observed Coulomb charging effect and the discrete energy level structure of Ge quantum dots with the typical diameter 13nm. |
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| Keywords: | quantum dot admittance spectroscopy Coulomb charging effect |
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