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| 提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ） | |
| 引用本文： | 罗先刚,陈旭南.提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）[J].物理,1998,27(5):278-281,300. |
| 作者姓名： | 罗先刚 陈旭南 |
| 作者单位： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 摘 要： | 提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１９８２年提出，真正成为热点是在８０... |
| 关 键 词： | 光刻 分辨力 亚半微米图形 相移掩模 |
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