| 脉冲高能量密度等离子体薄膜制备与材料表面改性 |
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| 引用本文： | 阎鹏勋,杨思泽.脉冲高能量密度等离子体薄膜制备与材料表面改性[J].物理,2002,31(8):510-516. |
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| 作者姓名： | 阎鹏勋 杨思泽 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000
2. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 脉冲高能量密度等离子体是一项全新的等离子体材料表面处理和薄膜制备技术。文章主要介绍了作者近几年来在这方面的研究成果。从理论和试验上研究了脉冲高能量密度等离子体的产生机制及其物理性质，研究了脉冲等离子体与材料相互作用的基本物理现象和物理机制，诊断测量表明，脉冲等离子体具有电子温度高（10－100eV）、等离子体密度高（10^14-10^16cm^-3）、定向速度高（－10^7cm/s）、功率大（10^4W/cm^2）等特点，在制备薄膜时具有沉积速率高，薄膜与基底粘结力强，并兼有激光表面处理、电子束处理、冲击波轰击、离子注入、溅射、化学气相沉积等综合性特点，可以在室温下合成亚稳态相和其他化合物材料。在此基础上，系统地进行了脉冲等离子体薄膜制备和材料表面改性及其机理的研究，在室温下的不同材料衬底上成功的沉积了性能良好的较大颗粒立方氮化硼、碳氮化钛、氮化钛、类金刚石、氮化铝等薄膜材料，沉积薄膜和基底之间存在一个很宽的过渡层，因此导致薄膜与基底有很强的粘结力，经脉冲等离子体处理过的金属材料表面性能得到了极大改善。
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| 关 键 词： | 制备 脉冲高能量密度等离子体 薄膜 表面处理 金属材料 |
| 修稿时间： | 2001年9月24日 |
DEPOSITION OF THIN FILMS AND SURFACE MODIFICATION BY PULSED HIGH ENERGY DENSITY PLASMA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed high energy density plasma thin films surface treatment |
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