| GaN基蓝光半导体激光器的发展 |
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| 引用本文： | 陈良惠,叶晓军,种明.GaN基蓝光半导体激光器的发展[J].物理,2003,32(5):302-308. |
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| 作者姓名： | 陈良惠 叶晓军 种明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家科技部“八六三”计划材料领域光电子主题基金 (批准号 :2 0 0 2AA3 1116Z)资助项目 |
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| 摘 要： | 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器——GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程．
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| 关 键 词： | GaN基蓝光半导体激光器 氮化镓 光存储 衬底材料 制作工艺 侧向外延生长 数字多功能光盘 |
| 修稿时间： | 2003年1月3日 |
Gallium nitride based blue laser diodes |
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| Abstract: | The development of GaN blue laser diodes, to be used in the next generation of optical storage systems is described. The substrates, epitaxial technology and processes involved in the manufacture of laser diode are discussed, with emphasis on the homoepitaxial substrate, epitaxial lateral overgrowth and wet etching. The practical realiaztion of GaN optical recording systems is also described. |
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| Keywords: | GaN blue laser diode ELOG optical storage DVD |
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