| 在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展 |
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| 引用本文： | 黄昌俊,王启明.在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展[J].物理,2003,32(8):528-532. |
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| 作者姓名： | 黄昌俊 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目 (批准号 :698962 60 )，国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 660 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点，由于三维量子限制效应的贡献，能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性，使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强，同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件．文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge／Si量子点生长研究的重要进展，对其潜在的重要应用作出了评述．结合作者自己的研究结果，着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程，指出自组装生长的Ge／Si量子点属Ⅱ型能带结构，其发光效率比一维量子阱有很大增强．探讨了用模板衬底实现对Ge量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径．
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| 关 键 词： | 自组装生长 Ge量子点 Si衬底 Si基电子波量子器件 生长动力学 能带结构 量子阱 纳米结构 |
| 修稿时间： | 2003年2月10日 |
Research progress of self-assembled Ge quantum dots on a Si substrate |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge quantum dots Si-based optoelectronics self-assembled nanostructure |
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