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| 台面型半导体器件的制造方法 | |
| 引用本文： | 何德湛,陈益清.台面型半导体器件的制造方法[J].物理,1992,21(4):253-254. |
| 作者姓名： | 何德湛 陈益清 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 (何德湛)，中国科学院上海冶金研究所微电子学分部(陈益清) |
| 摘 要： | 高压功率器件台面形成的方法,一般有磨角法1]、化学腐蚀法2-4]喷砂法3].磨角法是将大的片子用超声切割法切割成一个个较小的圆片,去制作器件管芯,然后一个个去磨角.此法能降低表面电场,提高击穿电压.但是,这样做速度慢,效率低.化学腐蚀法及喷砂法,不用将管芯一个个去磨角,就能在整个片子上每个管芯都形成了台面结构,效率比磨角法大大提高.化学腐蚀法是目前常用的办法,但从器件物理观点来分析,此法所形成的台面角度,对降低表面电场,提高击穿电压来说不算合理.采用本专利制得的器件,既有较高的击穿电压,又不用一个个管芯去磨角费时间,兼顾… |
| 关 键 词： | 半导体器件 台面型 制造 二次击穿 |
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