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| 集成电路中的物理问题讲座 第七讲 硅中杂质的物理行为 | |
| 引用本文： | 卢励吾,许振嘉.集成电路中的物理问题讲座 第七讲 硅中杂质的物理行为[J].物理,1985(10). |
| 作者姓名： | 卢励吾 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (卢励吾)，中国科学院半导体研究所(许振嘉) |
| 摘 要： | 在化学元素周期表中,已观察到许多元素在硅中能形成电子能级.它们作为硅中的杂质,其物理行为目前只有很少数的几种(例如B,P,As等)为人们所了解,而对周期表中的绝大多数元素在硅中的物理性质研究得还远远不够. 本文根据现有的工作,论述一些杂质在硅中的物理行为. 一、Ⅲ族(B,Al,Ga)及V族 (P,As,Sb)元素 众所周知,Ⅲ,V族元素是硅中最重要的杂质.它们在硅中分别是受主和施主杂质,并在硅禁带中引入浅能级:受主能级比价带顶高上EA,施主能级则比导带底低 ED 表1列出了硅中Ⅲ,V族杂质电离能的测量值.实验测量表明,Ⅲ,V族杂质在硅中的电离能… |
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