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| Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点 | |
| 引用本文： | 柯炼.Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点[J].物理,1999,28(1):30-34. |
| 作者姓名： | 柯炼 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射，它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。 |
| 关 键 词： | 量子点 受激发射 半导体激光器 氧化锌 Ⅱ－Ⅵ族 |
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