重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响 |
| |
引用本文: | 习凯,刘杰,张战刚,耿超,刘建德,古松,刘天奇,侯明东,孙友梅.重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响[J].原子核物理评论,2014,31(1):81-85. |
| |
作者姓名: | 习凯 刘杰 张战刚 耿超 刘建德 古松 刘天奇 侯明东 孙友梅 |
| |
作者单位: | 中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(11179003,10975164,10805062,11005134)~~ |
| |
摘 要: | 随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。
|
关 键 词: | 单粒子效应 电子分布 多位翻转 Geant4 |
收稿时间: | 1900-01-01 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《原子核物理评论》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《原子核物理评论》下载免费的PDF全文 |
|