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| 基于InP材料的纳米光栅耦合器的耦合效率分析 | |
| 引用本文： | 刘耀英,薛晨阳,崔晓文,崔丹凤,韦丽萍,王永华,李艳娜.基于InP材料的纳米光栅耦合器的耦合效率分析[J].量子光学学报,2014(4). |
| 作者姓名： | 刘耀英 薛晨阳 崔晓文 崔丹凤 韦丽萍 王永华 李艳娜 |
| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;电子测试技术重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61275166;61076111) |
| 摘 要： | 设计了一种基于InP材料的纳米光栅耦合器,运用FDTD算法分析了周期长度、刻蚀深度以及占空比变化时该光栅耦合器的耦合效率。计算结果表明,周期长度为800nm,刻蚀深度为0.3μm,占空比接近0.5时,耦合效率可以达到13%。本文所设计的光栅耦合器对构建基于InP材料的谐振腔、激光器和陀螺结构具有一定的理论指导意义。 |
| 关 键 词： | InP材料 光栅 FDTD算法 耦合效率 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |