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| 红外InGaAs/InP单光子探测器的温度特性研究 | |
| 引用本文： | 李水峰,熊予莹,王晗,曾思明,廖常俊.红外InGaAs/InP单光子探测器的温度特性研究[J].量子光学学报,2008,14(3). |
| 作者姓名： | 李水峰 熊予莹 王晗 曾思明 廖常俊 |
| 作者单位： | 1. 广东工业大学实验教学部,广东,广州,510006 2. 华南师范大学物理与电信工程学院,广东,广州,510006 3. 华南师范大学信息光电子科技学院,广东,广州,510006 |
| 摘 要： | 分析了SAGM-APD单光子探测器暗电流产生的机理;得出工作温度和偏置电压是影响SAGM InGaAs/InP单光子探测器探测性能的重要因素.通过实验,分析了三种APD在不同温度下暗电流、光电流与偏置电压的关系曲线,得出一些结论. |
| 关 键 词： | 量子光学 单光子探测器 雪崩光电二极管 光电流 暗电流 |
Temperature Characteristic for InGaAs/InP Single-photon Detector at Infrared Communication Wavelengths |
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| LI Shui-feng,XIONG Yu-ying,WANG Han,ZENG Si-ming,LIAO Chang-jun.Temperature Characteristic for InGaAs/InP Single-photon Detector at Infrared Communication Wavelengths[J].Acta Sinica Quantum Optica,2008,14(3). | |
| Authors: | LI Shui-feng XIONG Yu-ying WANG Han ZENG Si-ming LIAO Chang-jun |
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