UV胶基底中IV-VI族PbSe纳晶量子点近红外光谱的吸收截面和辐射截面 |
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引用本文: | 程成,徐银辉.UV胶基底中IV-VI族PbSe纳晶量子点近红外光谱的吸收截面和辐射截面[J].光学学报,2014(9). |
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作者姓名: | 程成 徐银辉 |
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作者单位: | 浙江工业大学激光与光电子技术研究所; |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61274124) |
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摘 要: | 测量了三种不同直径(4.5,5.0,5.6nm)的IV-VI族PbSe量子点的近红外吸收光谱,给出了吸收峰值波长随量子点直径变化的经验公式。用吸收光谱法,根据Lambert-Beer定律,测量了光谱的吸收截面峰值和吸收系数及其随波长和掺杂浓度的变化,发现吸收截面对掺杂浓度有弱相关性,得到了吸收截面随掺杂浓度变化的指数近似表达式。测量了量子点的荧光辐射谱,由McCumber关系和实测的吸收截面,确定了量子点光谱的辐射截面峰值及随波长的变化。这些光谱截面数据对PbSe量子点掺杂的增益型器件和传感器设计有重要的意义。
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关 键 词: | 光谱学 PbSe量子点 吸收-辐射光谱 截面 掺杂浓度 |
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