| HfO2薄膜生长应力演化研究 |
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| 引用本文： | 方明,邵淑英,沈雪峰,范正修,邵建达.HfO2薄膜生长应力演化研究[J].光学学报,2009,29(6). |
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| 作者姓名： | 方明 邵淑英 沈雪峰 范正修 邵建达 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 摘 要： | 薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性,对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义.搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置,再结合薄膜厚度的实时监控,实现了对薄膜应力演化过程的观测.对HfO2薄膜的生长过程做了实时研究.结果显示,在所研究条件下,HfO2薄膜的生长应力随厚度的增加,在360～660 MPa范围内变化;沉积温度越高,沉积真空度越高,张应力越大;在真空度较高的沉积条件下,薄膜应力强烈地受到基底表面的影响,随着薄膜厚度的增加,应力也趋于稳定.
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| 关 键 词： | 薄膜 应力实时测量 HfO2薄膜 生长应力 |
Evolution of Growth Stress of HfO2 Thin Film |
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| Fang Ming,Shao Shuying,Shen Xuefeng,Fan Zhengxiu,Shao Jianda.Evolution of Growth Stress of HfO2 Thin Film[J].Acta Optica Sinica,2009,29(6). |
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| Authors: | Fang Ming Shao Shuying Shen Xuefeng Fan Zhengxiu Shao Jianda |
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