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| 半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应 | |
| 引用本文： | 赵红东,沈光地,张存善,周革,张以谟.半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应[J].光学学报,2000,20(5):92-596. |
| 作者姓名： | 赵红东 沈光地 张存善 周革 张以谟 |
| 作者单位： | 1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,教育部光电子信息工程实验室,天津,300072;河北工业大学电气信息学院,天津,300130;北京工业大学电子工程学系,北京市光电子技术室,北京,100022 2. 北京工业大学电子工程学系,北京市光电子技术室,北京,100022 3. 河北工业大学电气信息学院,天津,300130 4. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,教育部光电子信息工程实验室,天津,300072 |
| 基金项目： | 北京市自然科学基金资助项目!(4 972 0 0 6 ) |
| 摘 要： | 应用腔量子电动力学和半导体物理学讨论了半导体垂直腔面发射激光器的微腔效应，得到了实际腔结构和注入载流子下的半导体生趣腔面发射激光器的自发发射谱，计算结果表明，半导体分布布拉格反射垂直腔激光器的单方向自发发射可以境强约２００倍。 |
| 关 键 词： | 半导体垂直腔面发射激光器 自发发射 微腔效应 |
| 收稿时间： | 1998/9/28 |
Micro-Cavity Effect in Vertical Cavity Semiconductor Surface Emitting Lasers |
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| Zhao Hongdong,Shen Guangdi,Zhang Cunshan,Zhou Ge,Zhang Yimo.Micro-Cavity Effect in Vertical Cavity Semiconductor Surface Emitting Lasers[J].Acta Optica Sinica,2000,20(5):92-596. | |
| Authors: | Zhao Hongdong Shen Guangdi Zhang Cunshan Zhou Ge Zhang Yimo |
| Institution: | Zhao Hongdong1),2 ),3 ) Shen Guangdi3 ) Zhang Cunshan2 ) Zhou Ge1) Zhang Yimo1) 1 ),Information Engineering Laboratory of The Ministry of Education,College of Precision Instrumentand Optoelectronics Engineering,Tianjin Universi |
| Abstract: | Based on cavity quantum electrodynamics and physics of semiconductor,the mi- cro- cavity effect in a vertical cavity semiconductor surface emitting laser has been discussed. The spontaneous emission spectra in the vertical cavity semiconductor surface emitting lasers are obtained.As a result,spontaneous emission intensity in one direction can be enhanced about2 0 0 times by the confinement the photon with distributed Bragg reflectors because the micro- cavity effect in the lasers. |
| Keywords: | vertical cavity semiconductor surface emitting lasers spontaneous emission metal reflector distributed Bragg reflectors |
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