| 1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列 |
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| 引用本文： | 王皓,张瑞康,陆丹,王宝军,黄永光,王圩,赵玲娟.1.55-μm大功率高速直调半导体激光器阵列[J].光学学报,2019,39(9):216-220. |
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| 作者姓名： | 王皓 张瑞康 陆丹 王宝军 黄永光 王圩 赵玲娟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 提出一种基于AlGaInAs材料的1.55-μm波段的大功率、高速直调分布反馈(DFB)激光器阵列。采用具有良好温度特性和高微分增益的AlGaInAs材料作为量子阱和波导层以实现大功率与高带宽的输出;引入稀释波导结构来减小有源区内部损耗,同时降低远场发散角;采用悬浮光栅并优化耦合系数以实现大注入电流下的单模稳定工作。最终实现了1.5-μm波段5波长的大功率直调激光器阵列,阵列波长间隔约为5 nm,室温连续波(CW)工作时各通道输出光功率均大于100 mW,单通道最大输出光功率为160 mW,500 mA工作电流范围内边模抑制比大于55 dB,小信号调制带宽可达7 GHz,激光器最小线宽为520 kHz,相对强度噪声低于-145 dB/Hz。
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| 关 键 词： | 激光器 1.55-μm直调激光器 大功率 高带宽 激光器阵列 |
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