| AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究 |
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| 引用本文： | 黄伍桥,吴谊群,顾冬红,干福熹.AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究[J].光学学报,2004,24(9):164-1168. |
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| 作者姓名： | 黄伍桥 吴谊群 顾冬红 干福熹 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (6 0 2 0 70 0 5 )，上海市科技发展基金(0 12 2 6 10 6 8)资助课题。 |
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| 摘 要： | 报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物：银-(2，5-二丙酸甲酯-7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷)的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能，并研究了薄膜的可擦重写机理。结果表明该薄膜在388nm和675nm处有两个源于复合物中阴离子自由基TCNQ(C2H4COOCH3)2^-中的电子跃迁的特征吸收峰；AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能，该薄膜在写入功率为9mW，写入脉冲为80ns，擦除功率为4mW，擦除脉冲为500ns时反射率衬比度大于15％，循环次数可达100次以上，并且没有出现任何疲劳现象。机理研究表明，AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理，即在激光作用下因复合物中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化，从而实现可擦重写光信息存储。
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| 关 键 词： | 薄膜光学 高密度光存储 可擦重写存储 旋涂膜 AgTCNQ脂类衍生物 |
| 收稿时间： | 2003/6/19 |
Green- Light Optical Storage Properties of Spin-Coated Thin Film of AgTCNQ Derivative |
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| Huang Wuqiao,Wu Yiqun,Gu Donghong,Gan Fuxi.Green- Light Optical Storage Properties of Spin-Coated Thin Film of AgTCNQ Derivative[J].Acta Optica Sinica,2004,24(9):164-1168. |
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| Authors: | Huang Wuqiao Wu Yiqun Gu Donghong Gan Fuxi |
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| Abstract: | A novel electron transfer composite Ag-TCNQ (C2H4COOCH3)2 film is described with spin-coating, absorption spectra, green-light (514.5 nm) static rewritable optical recording properties, and rewritable mechanism of this film is studied. The results show that there are two strong absorption peaks respectively at 388 nm and 675 nm, which can be assigned to electronic transitions in anion radical TCNQ(C2H4COOCH)-2. Typical experimental results are as follows |
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| Keywords: | film optics high-density optical storage rewritable optical storage spin-coating film ester derivative of AgTCNQ |
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