第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi_2的光电特性 |
| |
引用本文: | 闫万珺,张忠政,郭笑天,桂放,谢泉,周士芸,杨娇.第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi_2的光电特性[J].光学学报,2014(4):193-199. |
| |
作者姓名: | 闫万珺 张忠政 郭笑天 桂放 谢泉 周士芸 杨娇 |
| |
作者单位: | 安顺学院电子与信息工程学院;航空电子电气与信息网络工程中心;功能材料与资源化学特色重点实验室;贵州大学电子信息学院;新型光电子材料与技术研究所; |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(61264004);贵州省科技厅自然科学基金(20102001);贵州省教育厅科研项目(2012056,2011278) |
| |
摘 要: | 采用第一性原理赝势平面波方法,对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算,并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明:V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b,体积相应增大。V-Al:CrSi2是p型间接带隙半导体,带隙宽度为0.256eV,介于V、Al单掺杂CrSi2之间;费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比,V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大,εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5eV附近,εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱,吸收系数和光电导率明显降低,吸收边略有红移,平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁,V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。
|
关 键 词: | 材料 V-Al共掺杂CrSi 电子结构 光学性质 第一性原理 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|