| 连续波CO2激光辅助AuGeNi-InP合金 |
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| 引用本文： | 叶玉堂,吴云峰,吴泽明,杨先明,范超,秦宇伟,方勇文,郑华,李莹波.连续波CO2激光辅助AuGeNi-InP合金[J].光学学报,2002,22(10):263-1265. |
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| 作者姓名： | 叶玉堂 吴云峰 吴泽明 杨先明 范超 秦宇伟 方勇文 郑华 李莹波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电子技术系,成都,610054 |
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| 基金项目： | 总装备部预研基金，四川省科技厅资助课题 |
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| 摘 要： | 利用激光辅助合金的方法，生成InP表面AuGeNi-InP合金，并形成良好的欧姆接触，上下表面面间电阻为5．8Ω。研究了合金工艺参量（如合金时间、合金温度、镀膜厚度等）对形成欧姆接触性能的影响。
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| 关 键 词： | AuGeNi－InP合金 激光辅助合金 欧姆接触 半导体化合物 工艺参数 微细加工 集成电路 连续CO2激光器 |
| 收稿时间： | 2001/8/13 |
AuGeNi-InP Laser Assisted Aalloying Using CW CO2 Laser |
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| Ye Yutang,Wu Yunfeng,Wu Zeming,Yang Xianming,Fan Chao,Qin Yuwei,Fang Yongwen\ Zheng Hua,Li Yingbo.AuGeNi-InP Laser Assisted Aalloying Using CW CO2 Laser[J].Acta Optica Sinica,2002,22(10):263-1265. |
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| Authors: | Ye Yutang Wu Yunfeng Wu Zeming Yang Xianming Fan Chao Qin Yuwei Fang Yongwen\ Zheng Hua Li Yingbo |
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| Abstract: | AuGeNi InP alloy on InP chip and good ohmic contact have been fabricated by means of laser assisted alloying. The minimum contact resistance between the two surfaces of InP substrate is as low as 5.8 Ω. According to the experimental result, influence of some important processing parameters (as alloying time, alloying temperature, the thickness of film, et al.) on ohmic contact are discussed. |
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| Keywords: | laser assisted alloying ohmic contact semiconductor compound |
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